1700В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

645

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2631

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

2.00

2.45

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

2.40

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

2.50

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

27.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.92

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

3.08

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,  rg= 2,2Ω,VGE=±15В, tj=25oc

367

NS

tr

Время нарастания

112

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

523

NS

tf

Время спада

236

NS

eна

Включить переход

потеря

42.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

76.7

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,  rg= 2,2Ω,VGE=±15В, tj= 125oc

375

NS

tr

Время нарастания

116

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

599

NS

tf

Время спада

458

NS

eна

Включить переход

потеря

58.7

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

109

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,  rg= 2,2Ω,VGE=±15В, tj= 150oc

377

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

611

NS

tf

Время спада

560

NS

eна

Включить переход

потеря

73.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

118

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.95

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

101

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

488

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

71.1

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

150

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

562

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

106

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

160

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

575

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

112

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.057

0.110

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.106

0.205

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g