1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

620

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

2272

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

1.90

2.35

v

Яc=400A,VGE=15В, tj= 125oc

2.40

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

2.55

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 10,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

100

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.9

О

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,- Что?rg= 0,38Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

1496

NS

tr

Время нарастания

200

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1304

NS

tf

Время спада

816

NS

eна

Включить переход

потеря

27.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

20.8

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,- Что?rg= 0,38Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

1676

NS

tr

Время нарастания

252

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1532

NS

tf

Время спада

872

NS

eна

Включить переход

потеря

41.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

23.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,- Что?rg= 0,38Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

1676

NS

tr

Время нарастания

260

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1552

NS

tf

Время спада

888

NS

eна

Включить переход

потеря

46.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

24.0

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.35

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

20.4

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

180

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

6.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

52.4

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

264

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

60.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

284

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

22.6

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

15

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.25

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.066

0.093

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g