GD400CUX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

636

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

2083

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.75

2.20

В

Я C =400A,V GE =15В, т vj =125 О C

2.00

Я C =400A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =14.4 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

37.3

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.04

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.80

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50нГн , В GE =±15В, T vj =25 О C

223

NS

т R

Время нарастания

49

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

334

NS

т F

Время спада

190

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50нГн , В GE =±15В, T vj =125 О C

230

NS

т R

Время нарастания

54

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

385

NS

т F

Время спада

300

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

29.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

41.2

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R g =2.0Ω, L s =50нГн , В GE =±15В, T vj =150 О C

228

NS

т R

Время нарастания

57

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

393

NS

т F

Время спада

315

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

32.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

42.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

В

Я F =400A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Я F =400A,V GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =400A,

-di/dt=8030A/мкс, L s =50нГн, V GE = 15 В, т vj =25 О C

33.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

374

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.6

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =400A,

-di/dt=7030A/мкс, L s =50нГн, V GE = 15 В, т vj =125 О C

67.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

446

A

е rec

Обратное восстановление энергия

28.2

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6880A/μс, L s =50нГн, V GE = 15 В, т vj =150 О C

75.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

452

A

е rec

Обратное восстановление энергия

31.4

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.072 0.113

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.023 0.036 0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g