все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD400CUT170C2S

Модуль IGBT, 1700 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая)ОпорыИГБТтехнологии
  • Низкие потери при переключении
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные приложения

  • Двигатели инверторов переменного тока
  • Импульсные источники питания

 

ИГБТ tc=25°C если только В противном случае Замечание

Максимальные номинальные значения

 

Символ

описание

GD400CUT170C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектора-излучателя @ Tj=25°C

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

p- Да.

Общее рассеивание энергии@ Tj= 150°C

2403

w

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=150°C

10

μs

Не характеризуется

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1700

 

 

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

 

 

3.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

 

 

400

- Нет

О характеристиках

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 16mA,VCE=VGE- Да.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

 

 

vCE (США)

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

 

2.00

2.45

 

 

v

Яc=400A,VGE=15В, tj= 125°C

 

2.40

 

Смена характеристик

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

 

vСк.=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15V,tj=25°C

 

278

 

NS

tr

Время нарастания

 

81

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

802

 

NS

tf

Время спада

 

119

 

NS

eна

Включить Потери при переключении

 

104

 

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

 

86

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15V, tj= 125°C

 

302

 

NS

tr

Время нарастания

 

99

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

1002

 

NS

tf

Время спада

 

198

 

NS

eна

Включить переход

потеря

vСк.=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15V, tj= 125°C

 

136

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

124

 

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

 

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

36

 

пф

c- Да.

Выходной объем

 

1.5

 

пф

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.2

 

пф

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

 

 

1.9

 

О

 

Яsc

 

Данные SC

tp 10 мс,ВGE=15В,- Что?tj=125°CVСк.= 1000V, vСМК1700В

 

 

1600

 

 

A

 

 

Диод tc=25°C если только В противном случае Замечание

Максимальные номинальные значения

 

Символ

описание

GD400CUT170C2S

единицы

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение @ Tj=25°C

1700

v

Яf

Продолжающий ток @ Tc=80°C

100

A

ЯФРМ

Повторяющийся пиковый переходный ток tp=1 мс

200

A

Я2t

Я2t-значение,Vr=0V,Tp= 10 мс,Tj=125°C

1800

A2С

Характеристики Ценности

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 100А,ВGE=0В

tj=25°C

 

1.80

2.20

v

tj= 125°C

 

1.90

 

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

 

Яf= 100А,

vr= 900 В,

di/dt=-2450A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

 

29.0

 

μC

tj= 125°C

 

48.5

 

 

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

 

155

 

 

A

tj= 125°C

 

165

 

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

 

15.5

 

МГ

tj= 125°C

 

27.5

 

модуль igbt

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

 

2500

 

v

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rСк.+EE 

Модуль сопротивления свинцу, терминал к чипу @ Tc=25°C

 

0.35

 

mО

 

 

rθД.К.

Соединение с корпусом

(IGBT-инвертор, в 1/2 Моду(с)

 

 

0.052

 

 

K/W

Соединение с корпусом

(ДИОД-тормозный отсекатель на 1/2 модуль)

 

 

0.280

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

 

0.035

 

K/W

tj

Максимальная температура стыка

 

150

 

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40

 

125

°C

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт: M6

2.5

 

5.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3.0

 

5.0

g

вес из модуль

 

300

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000