1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=60oc

505

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc

2358

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

150

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

2.90

3.35

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

3.60

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=4,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.0

5.8

6.6

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

26.2

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.18

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

337

NS

tr

Время нарастания

88

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

460

NS

tf

Время спада

116

NS

eна

Включить переход

потеря

21.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

19.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

359

NS

tr

Время нарастания

90

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

492

NS

tf

Время спада

128

NS

eна

Включить переход

потеря

29.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

26.0

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

2.00

2.45

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

2.10

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15В, tj=25oc

27.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

16.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

46.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

30.0

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.053

0.103

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

350

g