1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

615

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc

2358

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

150

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

2.15

2.60

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

2.65

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=4,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.2

5.7

6.2

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

26.2

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.18

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

392

NS

tr

Время нарастания

129

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

567

NS

tf

Время спада

143

NS

eна

Включить переход

потеря

8.40

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

37.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

395

NS

tr

Время нарастания

135

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

604

NS

tf

Время спада

154

NS

eна

Включить переход

потеря

12.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

42.7

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15В, tj=25oc

35.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

246

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

17.1

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

56.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

312

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

26.3

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.053

0.103

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

350

g