Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
630 400 |
A |
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp=1 мс |
800 |
A |
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc |
2083 |
w |
Диод
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
v |
Яf |
Диод непрерывно переднийарендная плата |
400 |
A |
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
800 |
A |
модуль
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
oc |
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
oc |
tСТГ |
температура хранениядиапазон |
-40 до +125 |
oc |
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc= 10,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
rГинт |
Внутренний портал сопротивленияance |
|
|
1.9 |
|
О |
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2,0Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
|
257 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
96 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
628 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
103 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
23.5 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
34.0 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2,0Ω, vGE=±15В, tj= 125oc |
|
268 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
107 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
659 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
144 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
35.3 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
51.5 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2,0Ω, vGE=±15В, tj= 150oc |
|
278 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
118 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
680 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
155 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
38.5 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
56.7 |
|
МГ |
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В |
|
1600 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.65 |
2.10 |
v |
Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.65 |
|
|||
Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.65 |
|
|||
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc |
|
38.0 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
285 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
19 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc |
|
66.5 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
380 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
36.6 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc |
|
76.0 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
399 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
41.8 |
|
МГ |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
НН |
rCC+EE |
Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю. |
|
0.35 |
|
mΩ |
rthJC |
Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на Di)(оде) |
|
|
0.072 0.095 |
K/W |
rthCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (намодуль) |
|
0.035 0.046 0.010 |
|
K/W |
m |
Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
g |
вес из модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.