Все категории

Модуль IGBT 1700В

Модуль IGBT 1700В

главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1700В

GD3600SGX170C4S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

1700В 3600А, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD3600SGX170C4S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1 700V 3600A ,C4 .

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

  • Конверторы высокой мощности
  • Приводы моторов

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 О C

3600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

7200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

21.4

КВт

Диод

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

3600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

7200

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V R =0V,T Р =10мс, @T j =25 О C @T j =150 О C

23.22 19.95

кА

Я 2т

Я 2t-значение,V R =0V,T Р =10м s,T j =25 О C Я 2t-значение,V R =0V,T Р =10ms ,t j =150 О C

2695

1990

кА 2s

Модуль

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =3600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.30

В

Я C =3600А,В GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =3600А,В GE =15В, т j =150 О C

2.30

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =144.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

427

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

10.7

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

35.3

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л s =65 nH ,т j =25 О C

1161

NS

т R

Время нарастания

413

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

4761

NS

т F

Время спада

430

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

1734

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2580

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л s =65 nH ,т j =125 О C

1370

NS

т R

Время нарастания

547

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

5303

NS

т F

Время спада

457

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

2679

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2881

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л s =65 nH ,т j =150 О C

1413

NS

т R

Время нарастания

585

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

5490

NS

т F

Время спада

473

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

2863

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2960

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

14.0

кА

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =3600А,В GE =0V,T j = 25О C

1.80

2.25

В

Я F =3600А,В GE =0V,T j =125 О C

1.90

Я F =3600А,В GE =0V,T j =150 О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =3600А,

-di/dt=7000А/мкс,V GE =-9В, Л s =65 nH ,т j =25 О C

207

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1030

A

е rec

Обратное восстановление энергия

199

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =3600А,

-di/dt=5700/мкс,V GE =-9В, Л s =65 nH ,т j =125 О C

288

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1020

A

е rec

Обратное восстановление энергия

339

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =3600А,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9В, Л s =65 nH ,т j =150 О C

391

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

996

A

е rec

Обратное восстановление энергия

341

mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.085

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

7.0 12.8

К/кВт

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

6.2 11.3 4.0

К/кВт

Г Ползучесть

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

32.2 32.2

мм

Г прозрачный

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

19.1 19.1

мм

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

2060

g

Основные положения

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000