Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD3600SGT120C4S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

A

3600

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

7200

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

3600

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

7200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =17 5℃

16.7

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =145 mA ,в СЕ = в GE ,т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =3600А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.70

2.15

в

Я C =3600А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

35.0

μC

р Гинт

Внутренний затворный резистор

т j =25 ℃

0.5

Ω

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =3600А, р Гон =0.8Ω,

р Гофф =0.2Ω,

в GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

NS

т р

Время нарастания

235

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

825

NS

т F

Время спада

145

NS

е НА

Включить Потери при переключении

/

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

/

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =3600А, р Гон =0.8Ω,

р Гофф =0.2Ω,

в GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

NS

т р

Время нарастания

215

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

970

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Потери при переключении

736

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

569

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В

258

НФ

C - Да.

Выходной объем

13.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

11.7

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

14000

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

р CC + EE ’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.12

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =3600А

т j =25 ℃

1.65

2.15

в

т j =125 ℃

1.65

2.15

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =3600А,

в р =600 В,

р Гон =0.8Ω,

в GE =- 15В

т j =25 ℃

360

μC

т j =125 ℃

670

Я RM

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

2500

A

т j =125 ℃

3200

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

97

mJ

т j =125 ℃

180

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

9.0

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение-к-корпусу (на диод de)

15.6

К/кВт

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

(Проводящая смазка нанесена, на М (отрывок)

4

К/кВт

Вес

Вес из Модуль

2250

g