1200 В

Символ

описание

GD3600SGT120C4S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

4800

A

3600

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

7200

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

3600

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

7200

A

pd

Максимальная мощность рассеяния    @ Tj=175°C

16.7

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

крутящий момент

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=145Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=3600А,ВGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc=3600А,ВGE=15В, tj=125°C

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

35.0

μC

rГинт

Внутренний затворный резистор

tj=25°C

0.5

О

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=3600А, rГон=0.8Ω,

rГофф=0.2Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tr

Время нарастания

235

NS

td(off)

Выключение время задержки

825

NS

tf

Время спада

145

NS

eна

Включить Потери при переключении

/

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=3600А, rГон=0.8Ω,

rГофф=0.2Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

665

NS

tr

Время нарастания

215

NS

td(off)

Выключение время задержки

970

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить Потери при переключении

736

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

569

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В

258

НФ

c- Да.

Выходной объем

13.5

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

11.7

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°CVСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

14000

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

10

НН

rСк.+EE ’

Сопротивление вывода модуля,Терминал на чип

0.12

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=3600А

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

2.15

qr

Восстановленная зарядка

Яf=3600А,

vr=600 В,

rГон=0.8Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

360

μC

tj=125°C

670

ЯRM

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

2500

A

tj=125°C

3200

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

97

МГ

tj=125°C

180

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

9.0

К/кВт

rθД.К.

Соединение-к-корпусу (на диодde)

15.6

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

(Проводящая смазка нанесена, на М(отрывок)

4

К/кВт

вес

вес из модуль

2250

g