все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD300TLY120C2S

Модуль IGBT, 1200В 300А;3-уровневый в одном пакете

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300TLY120C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • бесперебойный источник питания
  • солнечная энергия

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

T1,T2 IGBT

 

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

483

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1612

w

D1,D2 Диод

 

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

T3,T4 IGBT

 

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=60oc

372

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

920

w

D3,D4 Диод

 

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

модуль

 

Символ

описание

ценности

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

T1,T2ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

1.95

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.00

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 7,50Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

2.5

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

21.0

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.20

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

 

2.60

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

 

182

 

NS

tr

Время нарастания

 

54

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

464

 

NS

tf

Время спада

 

72

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

10.6

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

25.8

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

193

 

NS

tr

Время нарастания

 

54

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

577

 

NS

tf

Время спада

 

113

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

16.8

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

38.6

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

 

203

 

NS

tr

Время нарастания

 

54

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

618

 

NS

tf

Время спада

 

124

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

18.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

43.3

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1200

 

 

A

D1,D2Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яc= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.65

2.10

 

v

Яc= 300 А,ВGE=0V,Tj=125oc

 

1.65

 

Яc= 300 А,ВGE=0V,Tj=150oc

 

1.65

 

qr

Восстановлено

заряд

 

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE= 15 В,tj=25oc

 

29

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

318

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

18.1

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE= 15 В, tj= 125oc

 

55

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

371

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

28.0

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE= 15 В, tj= 150oc

 

64

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

390

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

32.8

 

МГ

T3,T4ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.45

1.90

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

1.60

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

1.70

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=4.8Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.1

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.0

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

17.1

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.51

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15 - Что?+15В

 

2.88

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

88

 

NS

tr

Время нарастания

 

40

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

294

 

NS

tf

Время спада

 

43

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

1.34

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

8.60

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

 

96

 

NS

tr

Время нарастания

 

48

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

312

 

NS

tf

Время спада

 

60

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

1.86

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

10.8

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

 

104

 

NS

tr

Время нарастания

 

48

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

318

 

NS

tf

Время спада

 

60

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

1.98

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

11.3

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤6μs,vGE=15В,

tj=150oC,VСк.=360V, vСМК≤650V

 

 

1500

 

 

A

D3,D4Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.55

1.95

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=125oc

 

1.50

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=150oc

 

1.45

 

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=7150A/μs,VGE= 15 В tj=25oc

 

14.3

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

209

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

3.74

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=7150A/μs,VGE= 15 В tj=125oc

 

26.4

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

259

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

6.82

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=7150A/μs,VGE= 15 В tj=150oc

 

30.8

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

275

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

7.70

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

rthJC

Соединение с корпусом (для T1,T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диодde)

Соединение с корпусом (для T3,T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диодde)

 

 

0.093

0.158

0.163

0.299

 

K/W

 

 

rthCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4Диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

 

 

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

340

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000