все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD300TLT120E5S

Модуль IGBT;1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300TLT120E5S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • бесперебойный источник питания
  • солнечная энергия

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

T1,T2 IGBT

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

540

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1948

w

D1,D2 Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

T3,T4 IGBT

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

415

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1086

w

D3,D4 Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

T1,T2ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

2.00

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.10

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

100

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

2.5

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

21.5

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.98

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

2.80

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

250

 

NS

tr

Время нарастания

 

90

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

550

 

NS

tf

Время спада

 

130

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

17.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

29.5

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

300

 

NS

tr

Время нарастания

 

100

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

650

 

NS

tf

Время спада

 

180

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

25.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

44.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

 

320

 

NS

tr

Время нарастания

 

100

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

680

 

NS

tf

Время спада

 

190

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

27.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

48.5

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1200

 

 

A

D1,D2Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.65

2.10

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.65

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

1.65

 

qr

Восстановлено

заряд

 

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

 

30.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

210

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

14.0

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

 

56.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

270

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

26.0

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

 

62.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

290

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

28.5

 

МГ

T3,T4ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.45

1.90

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

1.60

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

1.70

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=4.8Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.1

5.8

6.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.0

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

18.5

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.55

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15 В ...+15В

 

3.22

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

110

 

NS

tr

Время нарастания

 

50

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

490

 

NS

tf

Время спада

 

50

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

2.13

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

9.83

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

 

120

 

NS

tr

Время нарастания

 

60

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

520

 

NS

tf

Время спада

 

70

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

3.10

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

12.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=300V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

 

130

 

NS

tr

Время нарастания

 

60

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

530

 

NS

tf

Время спада

 

70

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

3.30

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

12.5

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤6μs,vGE=15В,

tj=150oC,VСк.=360V, vСМК≤650V

 

 

1500

 

 

A

D5,D6Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.55

2.00

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.50

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

1.45

 

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=6500A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

 

13.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

190

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

3.40

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=6500A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

 

24.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

235

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

6.20

 

МГ

qr

Восстановлено

заряд

 

vr=300V,If= 300A,

-di/dt=6500A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

 

28.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

250

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

7.00

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

rthJC

Соединение с корпусом (для T1,T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диодde)

Соединение с корпусом (для T3,T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диодde)

 

 

0.077

0.141

0.138

0.237

 

K/W

 

 

rthCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4Диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

 

 

 

K/W

m

Крутящий момент установки, винт м6

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5

3.0

2.5

 

6.0

5.0

n.m.

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000