1700В

Символ

описание

GD300SGT170C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

550

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

600

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

@ Tc=80°C

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

2239

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

монтаж крутящий момент

Клемма питания: M4

Крепежный винт силового терминала:M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

n.m.

Монографный винт:M6

3,0 до 5.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1700

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125°C

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=4.7Ω,VGE=±15В, tj=25°C

281

NS

tr

Время нарастания

82

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

801

NS

tf

Время спада

121

NS

eна

Включить переход

потеря

70.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

65.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=4.7Ω,VGE=±15В, tj=125°C

303

NS

tr

Время нарастания

103

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1002

NS

tf

Время спада

203

NS

eна

Включить переход

потеря

105

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

94.0

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

26.6

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.11

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.88

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 1000 v, vСМК≤1700V

1200

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

2.1

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=300А

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 300A,

vr= 900 В,

rg= 4,7Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

77

μC

tj=125°C

131

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

351

A

tj=125°C

383

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

40.0

МГ

tj=125°C

72.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.067

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.124

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

0.035

K/W

вес

вес- Что?модуль

300

g