все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD300SGT120C2S_G8

Модуль IGBT, 1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGT120C2S_G8
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

520

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

1807

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

1.95

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.00

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

0.5

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

 

28.6

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.92

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=15В

 

1.92

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

331

 

NS

tr

Время нарастания

 

105

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

521

 

NS

tf

Время спада

 

124

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

6.30

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

27.3

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

327

 

NS

tr

Время нарастания

 

110

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

575

 

NS

tf

Время спада

 

166

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

10.6

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

34.6

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

 

318

 

NS

tr

Время нарастания

 

111

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

586

 

NS

tf

Время спада

 

185

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

11.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

37.0

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1200

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.85

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

1.85

 

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

 

29.3

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

236

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

14.8

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

 

52.8

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

302

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

26.4

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

 

60.8

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

322

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

30.4

 

МГ

 

 

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

 

0.18

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.083

0.111

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.061

0.082

0.035

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000