GD300HFX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1829

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

36.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.83

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л s =66нГн,V GE =±15В, т j =25 О C

265

NS

т R

Время нарастания

94

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

565

NS

т F

Время спада

326

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

77.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л s =66нГн,V GE =±15В, т j =125 О C

302

NS

т R

Время нарастания

104

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

631

NS

т F

Время спада

521

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

108

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.8

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л s =66нГн,V GE =±15В, т j =150 О C

313

NS

т R

Время нарастания

108

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

645

NS

т F

Время спада

545

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

119

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

78.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C ,В CC =1000V, В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2650А/мкс,V GE = 15 В Л s =66 nH ,т j =25 О C

56.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

228

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE = 15 В Л s =66 nH ,т j =125 О C

89.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

262

A

е rec

Обратное восстановление энергия

60.2

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2250A/мкс,V GE = 15 В Л s =66 nH ,т j =150 О C

102

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

272

A

е rec

Обратное восстановление энергия

69.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.121

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.030 0.045 0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g