все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD300HFX170C6S

Модуль IGBT, 1700В 300А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

 

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание 

ИГБТ

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oВ@ Tc= 100oc

493

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1829

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

2.25

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.35

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

2.5

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В

 

36.1

 

НФ

cре

Обратная передача Пропускная способность

 

0.88

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15 ...+15В

 

2.83

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

vСк.=900V,Ic= 300A,- Что?rГон=3,3Ω,

rГофф= 4,7Ω, vGE=±15В,

tj=25oc

 

213

 

NS

tr

Время нарастания

 

83

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

621

 

NS

tf

Время спада

 

350

 

NS

eна

Включить переход потеря

 

79.2

 

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

 

70.2

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

vСк.=900V,Ic= 300A,- Что?rГон=3,3Ω,

rГофф= 4,7Ω, vGE=±15В,

tj= 125oc

 

240

 

NS

tr

Время нарастания

 

92

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

726

 

NS

tf

Время спада

 

649

 

NS

eна

Включить переход потеря

 

104

 

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

 

108

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

vСк.=900V,Ic= 300A,- Что?rГон=3,3Ω,rГофф= 4,7Ω, 

vGE=±15В,tj= 150oc

 

248

 

NS

tr

Время нарастания

 

95

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

736

 

NS

tf

Время спада

 

720

 

NS

eна

Включить переход потеря

 

115

 

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

 

116

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

 

 

1200

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

 

vf

Диод впереднапряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15 В tj=25oc

 

82.5

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

407

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

46.6

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15 В tj=125oc

 

138

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

462

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

92.2

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15 В tj=150oc

 

154

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

460

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

109

 

МГ

НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

Энергия

рассеивание

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

 

3375

 

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))]

 

3411

 

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))]

 

3433

 

K

 

 

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

20

 

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

 

1.10

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.082 0.129

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)Кассе-на-теплоотводы (p)ер диод)Кассе-на-теплоотводы (намодуль)

 

0.029 0.046 0.009

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

 

6.0 6.0

n.m.

g

вес из модуль

 

350

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000