GD300HFX170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальная мощность рассеяния Т =175 о C

1829

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

2.83

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G = 2,4Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

204

nS

т r

Время нарастания

48

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

595

nS

т f

Время спада

100

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

69.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

63.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G =2.4Ω

v GE =±15В, Т j = 125о C

224

nS

т r

Время нарастания

55

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

611

nS

т f

Время спада

159

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

96.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

99.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G =2.4Ω

v GE =±15В, Т j = 150о C

240

nS

т r

Время нарастания

55

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

624

nS

т f

Время спада

180

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

107

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

105

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

55

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

297

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

32.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C

116

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

357

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

68.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C

396

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

120

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

81.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033

0.051

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g