Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальная мощность рассеяния т =175 О C

1829

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.35

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

36.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.88

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.83

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

204

NS

т р

Время нарастания

48

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

595

NS

т F

Время спада

100

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

69.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

63.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g =2.4Ω

V GE =±15В, т j = 125О C

224

NS

т р

Время нарастания

55

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

611

NS

т F

Время спада

159

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

96.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

99.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g =2.4Ω

V GE =±15В, т j = 150О C

240

NS

т р

Время нарастания

55

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

624

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

107

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

105

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

55

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

297

A

е rec

Обратное восстановление энергия

32.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

116

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

357

A

е rec

Обратное восстановление энергия

68.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

396

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

120

A

е rec

Обратное восстановление энергия

81.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.082

0.129

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033

0.051

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g