GD300HFX170C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

1829

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =25 О C

1.85

2.30

В

Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =125 О C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

36.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.83

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

т vj =25 О C

355

NS

т R

Время нарастания

71

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

473

NS

т F

Время спада

337

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

89.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

46.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

т vj =125 О C

383

NS

т R

Время нарастания

83

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

549

NS

т F

Время спада

530

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

126

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

68.5

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

т vj =150 О C

389

NS

т R

Время нарастания

88

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

575

NS

т F

Время спада

585

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

139

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

73.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =1000V,

В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =2 5О C

1.80

2.25

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =125 О C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =150 О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/мкс,V GE = 15 В лс =42 nH ,т vj =25 О C

68

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

202

A

е rec

Обратное восстановление энергия

34.5

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/мкс,V GE = 15 В лс =42 nH ,т vj =125 О C

114

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

211

A

е rec

Обратное восстановление энергия

61.2

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/мкс,V GE = 15 В лс =42 nH ,т vj =150 О C

136

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

217

A

е rec

Обратное восстановление энергия

73.9

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.033 0.051 0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g