все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD300HFX170C2S

Модуль IGBT, 1700В 300А

Brand:
STARPOWER
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая)ОпорыИГБТтехнологии
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat)сположительныйтемпературакоэффициент
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

 

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

ИГБТ

 

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

493

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальная мощность рассеяния- Что?t =175oc

1829

w

 

Диод

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

 модуль

Символ

описание

ценности

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

 ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

2.25

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.35

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

2.5

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

36.1

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.88

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

2.83

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

204

 

NS

tr

Время нарастания

 

48

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

595

 

NS

tf

Время спада

 

100

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

69.3

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

63.3

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=2.4Ω

VGE=±15В, tj= 125oc

 

224

 

NS

tr

Время нарастания

 

55

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

611

 

NS

tf

Время спада

 

159

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

96.8

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

99.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=2.4Ω

VGE=±15В, tj= 150oc

 

240

 

NS

tr

Время нарастания

 

55

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

624

 

NS

tf

Время спада

 

180

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

107

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

105

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

 

 

1200

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

 

55

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

297

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

32.2

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc

 

116

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

357

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

68.2

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc

 

396

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

120

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

81.6

 

МГ

 

  

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

 

0.35

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.082

0.129

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.033

0.051

0.010

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000