Модуль IGBT, 1200В 300А, Корпус: C6.1
Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 300А.
Особенности
Низкий V CE (США) Trench IGB T технология
Короткое замыкание 10 мкм способность
В СЕ (сидел ) С положительный Температура коэффициент
Максимальное температура соединения 175О C
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
Изолированная медная плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
Инвертор для привода мотора
AC и DC сервопривод Водить машину усил и
тель
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C |
496 300 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
600 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
1685 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
600 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C |
|
1.95 |
|
|||
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.5 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
31.1 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.87 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =-15 ...+15В |
|
2.33 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =25 О C |
|
313 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
57 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
464 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
206 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
9.97 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
28.6 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =125 О C |
|
336 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
66 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
528 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
299 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
21.1 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
36.6 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =150 О C |
|
345 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
68 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
539 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
309 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
25.6 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
37.8 |
|
mJ |
|
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
1200 |
|
A |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C |
|
1.90 |
|
|||
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50О C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I F = 300A, -di/dt=6950A/μs,V GE = 15 В, т j =25 О C |
|
10.8 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
272 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
9.53 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I F = 300A, -di/dt=6090A/μs,V GE = 15 В, т j =125 О C |
|
24.2 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
276 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
18.4 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I F = 300A, -di/dt=5440A/μs,V GE = 15 В, т j =150 О C |
|
33.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
278 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
20.6 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
т C =100 О C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
к |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
к |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
к |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
1.10 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
|
0.089 0.150 |
K/W |
|
R thCH |
кейс -до -Радиатор (наIGBT ) Корпус к радиатору (на диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.029 0.048 0.009 |
|
K/W |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
