GD300HFU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

320

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1063

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.40

1.85

В

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

1.60

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =175 О C

1.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

51.5

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

4.50

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

т j =25 О C

405

NS

т R

Время нарастания

83

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

586

NS

т F

Время спада

129

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

34.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

т j =125 О C

461

NS

т R

Время нарастания

107

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

676

NS

т F

Время спада

214

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

48.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.6

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

т j =175 О C

518

NS

т R

Время нарастания

124

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

738

NS

т F

Время спада

264

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

58.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

31.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤7мкс, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1150

A

т Р ≤6μs, В GE =15В,

т j =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1110

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.60

2.00

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C

1.60

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 75О C

1.50

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=3135A/мкс,V GE = 15 В, Ls=32нГ,T j =25 О C

19.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

A

е rec

Обратное восстановление энергия

4.92

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2516A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =125 О C

33.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

159

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.35

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2204A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =175 О C

46.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

171

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.7

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

1.80

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.141 0.243

K/W

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.085 0.147 0.009

K/W

м

Монографный винт:M6

3.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g