Модуль IGBT, 1200В 300А, Корпус: C2
Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 300А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 95 О C |
452 300 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
600 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C |
1724 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
600 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =25 О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =125 О C |
|
2.25 |
|
|||
Я C = 300 А,В GE =15В, т vj =150 О C |
|
2.35 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 7,50 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.5 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
31.1 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.87 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =-15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, В GE =±15В,Т vj =25 О C |
|
200 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
47 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
245 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
65 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
20.8 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
9.15 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, В GE =±15В,Т vj =125 О C |
|
206 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
49 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
280 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
94 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
29.9 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.5 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, В GE =±15В,Т vj =150 О C |
|
209 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
51 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
295 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
105 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
35.1 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т vj =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В |
|
1200 |
|
A |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =2 5О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =125 О C |
|
1.90 |
|
|||
Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =150 О C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Восстановлено заряд |
В R = 600 В,I F = 300A, -di/dt=5570A/μс, V GE = 15 В, лс =45 nH ,т vj =25 О C |
|
28.2 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
287 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
8.81 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановлено заряд |
В R = 600 В,I F = 300A, -di/dt=4930A/μs,V GE = 15 В, лс =45 nH ,т vj =125 О C |
|
44.3 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
295 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
14.3 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановлено заряд |
В R = 600 В,I F = 300A, -di/dt=4580A/μs,V GE = 15 В, лс =45 nH ,т vj =150 О C |
|
50.2 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
300 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
16.0 |
|
mJ |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.35 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
|
0.087 0.153 |
K/W |
R thCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.