Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc=90oc |
430 300 |
A |
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp=1 мс |
600 |
A |
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc |
1851 |
w |
Диод
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
v |
Яf |
Диод непрерывно переднийарендная плата |
300 |
A |
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
600 |
A |
модуль
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
oc |
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
oc |
tСТГ |
температура хранениядиапазон |
-40 до +125 |
oc |
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc |
|
2.40 |
2.85 |
v |
Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc |
|
2.80 |
|
|||
Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc |
|
2.90 |
|
|||
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc |
5.4 |
6.2 |
7.4 |
v |
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
rГинт |
Внутренний портал сопротивленияance |
|
|
2.3 |
|
О |
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
20.0 |
|
НФ |
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.72 |
|
НФ |
|
qg |
Сбор за вход |
vGE=- 15…+15В |
|
1.8 |
|
μC |
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic= 300A, rg= 4,7Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
|
464 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
157 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
421 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
290 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
108 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
55.2 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic= 300A, rg= 4,7Ω, vGE=±15В, tj=125oc |
|
483 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
161 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
465 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
538 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
128 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
83.7 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic= 300A, rg= 4,7Ω, vGE=±15В, tj=150oc |
|
492 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
165 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
483 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
747 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
141 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
92.1 |
|
МГ |
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj= 150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V |
|
960 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=150oc |
|
1.90 |
|
|||
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If= 300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc |
|
70 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
209 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
40.7 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If= 300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc |
|
108 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
238 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
65.1 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If= 300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc |
|
123 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
253 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
71.6 |
|
МГ |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
15 |
|
НН |
rCC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу |
|
0.25 |
|
mΩ |
rthJC |
Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на Di)(оде) |
|
|
0.081 0.138 |
K/W |
rthCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок) |
|
0.032 0.054 0.010 |
|
K/W |
m |
Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
g |
вес из модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.