все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD300HFL170C2S

Модуль IGBT, 1700В 300А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFL170C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкое VCE(sat)  SPT+ IGBT технология
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

430

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1851

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

 

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

2.40

2.85

 

 

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

2.80

 

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.90

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

2.3

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

20.0

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.72

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

1.8

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

464

 

NS

tr

Время нарастания

 

157

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

421

 

NS

tf

Время спада

 

290

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

108

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

55.2

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

 

483

 

NS

tr

Время нарастания

 

161

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

465

 

NS

tf

Время спада

 

538

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

128

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

83.7

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

 

492

 

NS

tr

Время нарастания

 

165

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

483

 

NS

tf

Время спада

 

747

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

141

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

92.1

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj= 150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

 

 

960

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=125oc

 

1.95

 

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=150oc

 

1.90

 

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

 

70

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

209

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

40.7

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc

 

108

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

238

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

65.1

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc

 

123

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

253

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

71.6

 

МГ

 

 

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

15

 

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

 

0.25

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.081

0.138

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

 

0.032

0.054

0.010

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000