GD275MJS120L6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Реализован Коллектор C ток

275

A

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 О C

110

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я ФН

Реализован Прямой Ток вход

275

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

3200

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, т j =25 О C

2.00

2.45

В

Я C =225A,V GE =15В, т j =125 О C

2.70

Я C =225A,V GE =15В, т j =150 О C

2.90

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.00 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

38.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.66

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

2.52

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =2Ом,В GE =-8/+15В, Л s =36 nH ,т j =25 О C

154

NS

т R

Время нарастания

45

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

340

NS

т F

Время спада

76

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

13.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.08

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =2Ом,В GE =-8/+15В, Л s =36 nH ,т j =125 О C

160

NS

т R

Время нарастания

49

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

388

NS

т F

Время спада

112

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.2

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =2Ом,В GE =-8/+15В, Л s =36 nH ,т j =150 О C

163

NS

т R

Время нарастания

51

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

397

NS

т F

Время спада

114

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.60

2.05

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C

1.60

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50О C

1.60

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5350А/μс,В GE =-8В Л s =36 nH ,т j =25 О C

20.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.84

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5080А/μс,В GE =-8В Л s =36 nH ,т j =125 О C

32.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

277

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.5

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8В Л s =36 nH ,т j =150 О C

39.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

288

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25 О C

1.60

2.05

В

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.60

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.60

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.60

2.05

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C

1.60

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50О C

1.60

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5050А/μс,В GE =-8В Л s =30 nH ,т j =25 О C

18.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

189

A

е rec

Обратное восстановление энергия

5.62

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л s =30 nH ,т j =125 О C

34.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.4

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8В Л s =30 nH ,т j =150 О C

38.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

265

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.2

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

R thJC

Соединение вывода с корпусом (по T1 -T4 IGBT) Соединение вывода с корпусом (по D1/D4 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D2/D3 D йода) Соединение вывода с корпусом (по D5/D6 D йода)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (по T 1-T4 IGBT) Корпус к радиатору (по D1/D4 Диод) Корпус к радиатору (по D2/D3 Диод) Корпус к радиатору (по D5/D6 Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

м

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

250

g