1700V 2400A, C4
Краткое введение
Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =100 О C |
2400 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
4800 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
15.8 |
КВт |
Диод
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1700 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
2400 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
4800 |
A |
Я ФСМ |
Пиковый прямой ток V R =0V,T Р =10мс, @T j =25 О C @T j =150 О C |
18.65 15.25 |
кА |
Я 2т |
Я 2t-значение,V R =0V,T Р =10м s,T j =25 О C Я 2t-значение,V R =0V,T Р =10ms ,t j =150 О C |
1739 1162 |
кА 2s |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
4000 |
В |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C = 2400A,V GE =15В, т j =25 О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я C = 2400A,V GE =15В, т j =125 О C |
|
2.25 |
|
|||
Я C = 2400A,V GE =15В, т j =150 О C |
|
2.35 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =96.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.6 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В |
|
285 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
7.13 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =-15…+15V |
|
23.5 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C = 2400A, R g = 0,82Ω, Л s =32 nH ,В GE =-9V/+15V, т j =25 О C |
|
609 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
232 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
1676 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
192 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
784 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
785 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C = 2400A, R g = 0,82Ω, Л s =32 nH ,В GE =-9V/+15V, т j =125 О C |
|
732 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
280 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
2171 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
243 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
1350 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
1083 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C = 2400A, R g = 0,82Ω, Л s =32 nH ,В GE =-9V/+15V, т j =150 О C |
|
772 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
298 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
2294 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
298 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
1533 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
1126 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V |
|
10.5 |
|
кА |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 2400A,V GE =0V,T j = 25О C |
|
1.80 |
2.25 |
В |
Я F = 2400A,V GE =0V,T j =125 О C |
|
1.90 |
|
|||
Я F = 2400A,V GE =0V,T j =150 О C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F = 2400A, -di/dt=9570A/μс,V GE =-9В, Л s =32 nH ,т j =25 О C |
|
243 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
1656 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
274 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F = 2400A, -di/dt=7500A/μс,V GE =-9В, Л s =32 nH ,т j =125 О C |
|
425 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
1692 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
438 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I F = 2400A, -di/dt=6990A/μс,V GE =-9В, Л s =32 nH ,т j =150 О C |
|
534 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
1809 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
563 |
|
mJ |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
6.0 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.10 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
9.5 15.8 |
К/кВт |
R thCH |
кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
6.4 10.7 4.0 |
|
К/кВт |
Г Ползучесть |
Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме |
|
32.2 32.2 |
|
мм |
Г прозрачный |
Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме |
|
19.1 19.1 |
|
мм |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
2060 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.