1200 В

Символ

описание

GD2400SGT120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

3400

A

2400

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

4800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

2400

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

4800

A

pd

Максимальная мощность рассеяния    @ Tj= 150°C

9.6

КВ

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

n.m.

крутящий момент

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=96Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc= 2400A,VGE=15В, tj= 125°C

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

23.0

μC

rГинт

Внутренний затворный резистор

tj=25°C

0.8

О

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1,2Ω,

rГофф=0.3Ω

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tr

Время нарастания

215

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

815

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить Потери при переключении

/

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1,2Ω,

rГофф=0.3Ω

vGE=±15V,Tj= 125°C

665

NS

tr

Время нарастания

235

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

970

NS

tf

Время спада

185

NS

eна

Включить Потери при переключении

491

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

379

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

172

НФ

c- Да.

Выходной объем

9.01

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

7.81

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°CVСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

9600

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

12

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

0.19

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 2400A

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj= 125°C

1.65

2.15

qr

Восстановленная зарядка

Яf= 2400A,

vr=600 В,

rГон= 1,2Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

240

μC

tj= 125°C

450

ЯRM

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

1600

A

tj= 125°C

2200

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

65

МГ

tj= 125°C

120

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

13

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

23

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласномодуль)

6

К/кВт

вес

вес из модуль

1500

g