1200 В

Символ

описание

GD2400SGL120C3SN

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc= 100°C

3550

2400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

4800

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

2400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

4800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

12.8

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

монтаж крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

Монографный винт:M6

4.25 до 5.75

вес

Вес модуль

1500

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=96Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.4

7.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=25°C

1.95

2.40

v

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=125°C

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1.0Ω,

rГофф=2.3Ω,

vGE=±15В,Тj=25°C

188

NS

tr

Время нарастания

131

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1040

NS

tf

Время спада

132

NS

eна

Включить переход

потеря

272

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

320

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1.0Ω,

rГофф=2.3Ω,

vGE=±15В,Тj=125°C

214

NS

tr

Время нарастания

184

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1125

NS

tf

Время спада

138

NS

eна

Включить переход

потеря

268

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

416

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

ТБД

НФ

c- Да.

Выходной объем

ТБД

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

ТБД

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=150°C,V Ск.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

9000

A

qg

Сбор за вход

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, vGE=-15 - Что?+15В

ТБД

μC

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.3

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

12

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.19

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 2400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.75

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 2400A,

vr=600 В,

rg= 1.6Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

246

μC

tj=125°C

435

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

810

A

tj=125°C

1160

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

103

МГ

tj=125°C

182

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

11.7

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

21.9

К/кВт

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

6

К/кВт