1200 В

Символ

описание

GD2400SGL120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

3400

A

2400

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

4800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

2400

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

4800

A

pd

Максимальная мощность рассеяния    @ Tj= 150°C

10.4

КВ

tj

Максимальная температура стыка

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

n.m.

крутящий момент

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=96.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25°C

5.0

6.3

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc= 2400A,VGE=15В, tj= 125°C

2.20

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

24.5

μC

rГинт

Внутренний затворный резистор

tj=25°C

0.13

О

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГофф=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

210

NS

tr

Время нарастания

80

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

480

NS

tf

Время спада

60

NS

eна

Включить Потери при переключении

260

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

155

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rg=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

250

NS

tr

Время нарастания

85

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

550

NS

tf

Время спада

90

NS

eна

Включить Потери при переключении

360

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

250

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

170

НФ

c- Да.

Выходной объем

11.4

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

7.52

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°CVСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

ТБД

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

12

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

0.19

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 2400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.85

qr

Восстановленная зарядка

Яf= 2400A,

vr=600 В,

rg=0.43Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

315

μC

tj= 125°C

530

ЯRM

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

2000

A

tj= 125°C

2700

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

115

МГ

tj= 125°C

240

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

12

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

22

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласномодуль)

6

К/кВт

вес

вес из модуль

1500

g