Особенности
Низкий VCE(сидел) Опоры ИГБТ технологии
10 мкм КраткосвязьИллитет
vCE(сидел) с положительный температура коэффициент
максимальный температура соединения 175oc
Низкая индуктивность Кейс
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
типичный Приложения
Инверторы для двигателей dпривод
АС и ДС серво ездить Усилитель
Бесперебойное питаниеr поставки
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
|
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
|
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
v |
|
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
|
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
396 225 |
A |
|
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp= 1мс |
450 |
A |
|
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc |
1530 |
w |
Диод
|
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
|
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
v |
|
Яf |
Диод непрерывно переднийарендная плата |
225 |
A |
|
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
450 |
A |
модуль
|
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
|
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
oc |
|
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
oc |
|
tСТГ |
температура хранениядиапазон |
-40 до +125 |
oc |
|
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=225A,VGE=15В, tj=25oc |
|
1.85 |
2.20 |
v |
|
Яc=225A,VGE=15В, tj=125oc |
|
2.25 |
|
|||
|
Яc=225A,VGE=15В, tj=150oc |
|
2.35 |
|
|||
|
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc=9.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
Мамочка |
|
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
|
rГинт |
Внутренний портал сопротивленияance |
|
|
2.8 |
|
О |
|
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
27.1 |
|
НФ |
|
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.66 |
|
НФ |
|
|
qg |
Сбор за вход |
vGE=- 15…+15В |
|
2.12 |
|
μC |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic=225A,- Что?rГон=3,3Ω,rГофф=6.2Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
|
187 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
76 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
587 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
350 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
56.1 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
52.3 |
|
МГ |
|
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic=225A,- Что?rГон=3,3Ω,rГофф=6.2Ω, vGE=±15В, tj= 125oc |
|
200 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
85 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
693 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
662 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
75.9 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
80.9 |
|
МГ |
|
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.=900V,Ic=225A,- Что?rГон=3,3Ω,rГофф=6.2Ω, vGE=±15В, tj= 150oc |
|
208 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
90 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
704 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
744 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
82.8 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
87.7 |
|
МГ |
|
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V |
|
900 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
|
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=225A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
|
Яf=225A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.90 |
|
|||
|
Яf=225A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.95 |
|
|||
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc |
|
63.0 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
352 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
37.4 |
|
МГ |
|
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc |
|
107 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
394 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
71.0 |
|
МГ |
|
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc |
|
121 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
385 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
82.8 |
|
МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
r25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
|
ΔR/R |
Отклонение из r100 |
tc= 100 oC,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
Энергия рассеивание |
|
|
|
20.0 |
МВ |
|
b25/50 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
|
b25/80 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
|
b25/100 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
НН |
|
rCC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу |
|
1.10 |
|
mΩ |
|
rthJC |
Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на Di)(оде) |
|
|
0.098 0.158 |
K/W |
|
rthCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (намодуль) |
|
0.029 0.047 0.009 |
|
K/W |
|
m |
Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m. |
|
g |
вес из модуль |
|
350 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
