GD225HFX120C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

368

225

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

450

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1229

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

В

Я C =225A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =225A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.63 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

23.3

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.65

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.75

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

171

NS

т R

Время нарастания

43

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

391

NS

т F

Время спада

72

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

7.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

17.5

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =125 О C

182

NS

т R

Время нарастания

43

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

484

NS

т F

Время спада

93

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

13.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

27.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =150 О C

193

NS

т R

Время нарастания

43

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

515

NS

т F

Время спада

103

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

16.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

30.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25 О C

1.85

2.30

В

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.90

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, т j =25 О C

25.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

345

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.8

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, т j =125 О C

49.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

368

A

е rec

Обратное восстановление энергия

21.6

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, т j =150 О C

56.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

391

A

е rec

Обратное восстановление энергия

24.5

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.122 0.188

K/W

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT ) Корпус к радиатору (на диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.030 0.046 0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g