Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

339

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1456

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р = 1мс

150

A

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 95 О C

158

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

200

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

441

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р = 1мс

200

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =25 О C

1.40

1.85

в

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =125 О C

1.65

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =150 О C

1.70

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.7

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

1.56

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j =25 О C

142

NS

т р

Время нарастания

25

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

352

NS

т F

Время спада

33

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.21

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.90

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j = 125О C

155

NS

т р

Время нарастания

29

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

440

NS

т F

Время спада

61

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.02

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

5.83

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j = 150О C

161

NS

т р

Время нарастания

30

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

462

NS

т F

Время спада

66

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.24

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

6.49

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T j =25 О C

1.70

2.15

в

Я F =75A,V GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F =75A,V GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В т j =25 О C

8.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

122

A

е rec

Обратное восстановление энергия

2.91

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В т j = 125О C

17.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

143

A

е rec

Обратное восстановление энергия

5.72

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В т j = 150О C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

152

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.30

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =25 О C

1.45

1.90

в

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =125 О C

1.60

Я C = 100А,В GE = 15V, т j =150 О C

1.70

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 1,60мА, В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.8

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

11.6

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.23

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

0.69

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

44

NS

т р

Время нарастания

20

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

200

NS

т F

Время спада

28

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.48

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.48

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j = 125О C

48

NS

т р

Время нарастания

24

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

216

NS

т F

Время спада

40

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.24

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.28

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C = 100А, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j = 150О C

52

NS

т р

Время нарастания

24

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

224

NS

т F

Время спада

48

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.64

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.68

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs,V GE = 15V,

т j =150 О C,V CC =360V, в СМК ≤650V

500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 100А,В GE =0V,T j =25 О C

1.55

2.00

в

Я F = 100А,В GE =0V,T j = 125О C

1.50

Я F = 100А,В GE =0V,T j = 150О C

1.45

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В т j =25 О C

3.57

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

99

A

е rec

Обратное восстановление энергия

1.04

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В т j = 125О C

6.49

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

110

A

е rec

Обратное восстановление энергия

1.70

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В т j = 150О C

7.04

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

110

A

е rec

Обратное восстановление энергия

1.81

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с корпусом (для T1, T4 IGBT)

Соединение вывода с корпусом (по D1, D4 диоду de)

Соединение вывода с корпусом (по T2, T3 IGBT)

Соединение перехода (по D2,D3 Дио de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на T1,T4 IGBT)

Корпус-к-радиатору (по D1,D4 Диод)

Корпус к радиатору (на T2,T3 IGBT)

Корпус-к-радиатору (по D2,D3 Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Сила закрепления на зажим

40

80

н

g

Вес из Модуль

39

g