GD200TLQ120L3S, Модуль IGBT, трёхуровневый, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

339

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р = 1мс

400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1456

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р = 1мс

150

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 95 о C

158

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р = 1мс

200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

441

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р = 1мс

200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =25 о C

1.40

1.85

В

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =125 о C

1.65

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =150 о C

1.70

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

20.7

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

1.56

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C

142

nS

т r

Время нарастания

25

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

352

nS

т f

Время спада

33

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

1.21

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.90

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C

155

nS

т r

Время нарастания

29

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

440

nS

т f

Время спада

61

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.02

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

5.83

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C

161

nS

т r

Время нарастания

30

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

462

nS

т f

Время спада

66

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.24

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

6.49

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T j =25 о C

1.70

2.15

В

Я F =75A,V GE =0V,T j = 125о C

1.65

Я F =75A,V GE =0V,T j = 150о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j =25 о C

8.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

122

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.91

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j = 125о C

17.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

143

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.72

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =75A,

-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j = 150о C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

152

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.30

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =25 о C

1.45

1.90

В

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =125 о C

1.60

Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =150 о C

1.70

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 1,60мА, В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.0

5.8

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

11.6

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.23

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

0.69

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

44

nS

т r

Время нарастания

20

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

200

nS

т f

Время спада

28

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

1.48

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.48

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 125о C

48

nS

т r

Время нарастания

24

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

216

nS

т f

Время спада

40

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.24

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.28

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 150о C

52

nS

т r

Время нарастания

24

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

224

nS

т f

Время спада

48

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.64

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

3.68

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs,V GE = 15V,

Т j =150 о C,V CC =360V, В СМК ≤650V

500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 100А,В GE =0V,T j =25 о C

1.55

2.00

В

Я F = 100А,В GE =0V,T j = 125о C

1.50

Я F = 100А,В GE =0V,T j = 150о C

1.45

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j =25 о C

3.57

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

99

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.04

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j = 125о C

6.49

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

110

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.70

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F = 100А,

-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j = 150о C

7.04

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

110

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.81

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с корпусом (для T1, T4 IGBT)

Соединение вывода с корпусом (по D1, D4 диоду de)

Соединение вывода с корпусом (по T2, T3 IGBT)

Соединение перехода (по D2,D3 Дио de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на T1,T4 IGBT)

Корпус-к-радиатору (по D1,D4 Диод)

Корпус к радиатору (на T2,T3 IGBT)

Корпус-к-радиатору (по D2,D3 Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Сила закрепления на зажим

40

80

Н

G

Вес из Модуль

39

g