GD200SGU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200SGU120C2S

Краткое введение

Модуль IGBT , произведено STARPOWER. 1200В 200А.

Особенности

Типичные применения

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Описание	GD200SGU120C2S	Единицы
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я C	Ток коллектора @ Т C =25 ℃ @ T C =80 ℃	320 200	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t р =1 mS	400	A
Я F	Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C =80 ℃	200	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t р =1 мс	400	A
Р Г	Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 50℃	1645	В
Т jmax	Максимальная температура стыка	150	℃
Т СТГ	Температура хранения Запас хода	-40 до +125	℃
В ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	4000	В
Монтаж Крутящий момент	Сигнальный терминал Винт:M4	1.1 до 2.0
	Крепежный винт силового терминала:M6	2,5 до 5.0	Н.М
	Монографный винт:M6	3,0 до 5.0

Электрический Характеристики из IGBT Т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Не характеризуется

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
В (БР )CES	Сборщик-выпускник Предельное напряжение	Т j =25 ℃	1200			В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя Ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 ℃			400	нД

О характеристиках

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	В
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 ℃		3.10	3.55	В
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, Т j =125 ℃		3.45		В

Смена характеристик

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Т j =25 ℃		577		nS
т r	Время нарастания			120		nS
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			540		nS
т f	Время спада			123		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			16.3		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			12.0		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Т j =125 ℃		609		nS
т r	Время нарастания			121		nS
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			574		nS
т f	Время спада			132		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			22.0		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			16.2		mJ
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =30В, f=1МГц, В GE =0В		16.9		нФ
C - Да.	Выходной объем			1.51		нФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.61		нФ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, Т j =125 °C, В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В		1800		A
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся				20	nH
R CC+EE	Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип			0.18		мОм

Электрический Характеристики из Диод Т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний		Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =200A	Т j =25 ℃		1.82	2.25	В
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =200A	Т j =125 ℃		1.92		В
Q r	Восстановлено Заряд	Я F =200A, В R =600 В, R G = 4,7Ω, В GE = 15 В	Т j =25 ℃		13.1		μC
Q r	Восстановлено Заряд		Т j =125 ℃		26.1		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		Т j =25 ℃		123		A
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		Т j =125 ℃		172		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия		Т j =25 ℃		7.0		mJ
Е rec	Обратное восстановление Энергия		Т j =125 ℃		12.9		mJ

Тепловой характеристик ика

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Единицы
R θ Д.К.	Соединение с делом (на IGB) T)		0.076	K/W
R θ Д.К.	Соединение с корпусом (на D) Йода)		0.128	K/W
R θ КС	Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)	0.035		K/W
Вес	Вес Модуль	300		g