Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

400

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

1578

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =200A,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.7

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

1.55

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j =25 О C

150

NS

т р

Время нарастания

32

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

330

NS

т F

Время спада

93

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

11.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j = 125О C

161

NS

т р

Время нарастания

37

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

412

NS

т F

Время спада

165

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

19.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1. 1Ω, В GE =±15В, т j = 150О C

161

NS

т р

Время нарастания

43

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

433

NS

т F

Время спада

185

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

21.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F =200A,В GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F =200A,В GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

17.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

228

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.7

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

31.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

238

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

36.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

247

A

е rec

Обратное восстановление энергия

15.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

22

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.095

0.161

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.146

0.248

0.046

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

2.5

2.5

3.5

3.5

Н.М

g

Вес из Модуль

200

g