GD200HFX120C8SN, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

363

200

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор ток tp ограниченный От т vjop

400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

1293

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой ток tp ограниченный От т vjop

400

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т vj =25 О C

1.75

2.20

В

Я C =200A,В GE =15В, т vj =125 О C

2.00

Я C =200A,В GE =15В, т vj =150 О C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.6

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.52

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.40

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =25 О C

140

NS

т R

Время нарастания

31

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

239

NS

т F

Время спада

188

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

11.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

13.4

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =125 О C

146

NS

т R

Время нарастания

36

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

284

NS

т F

Время спада

284

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

19.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.9

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =150 О C

148

NS

т R

Время нарастания

37

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

294

NS

т F

Время спада

303

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

21.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.8

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

В

Я F =200A,В GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Я F =200A,В GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5710A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, т vj =25 О C

20.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

220

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.5

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4740A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, т vj =125 О C

34.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

209

A

е rec

Обратное восстановление энергия

12.9

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4400A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, т vj =150 О C

38.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

204

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.239 0.046

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Н.М

g

Вес из Модуль

200

g