Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =100 О C

340

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1190

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

в

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =200A,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.7

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

1.55

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =25 О C

150

NS

т р

Время нарастания

32

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

330

NS

т F

Время спада

93

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

9.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =125 О C

161

NS

т р

Время нарастания

37

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

412

NS

т F

Время спада

165

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

20.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =150 О C

161

NS

т р

Время нарастания

43

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

433

NS

т F

Время спада

185

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

22.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, в GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C

2.40

2.90

в

Я F =200A,В GE =0V,T j =1 25О C

1.95

Я F =200A,В GE =0V,T j =1 50О C

1.80

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

20.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

38.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

201

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

44.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

212

A

е rec

Обратное восстановление энергия

15.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.126

0.211

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.053

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g