GD200HFX120C2SA_B36, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =100 о C

340

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1190

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

400

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =200A,В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =200A,В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

20.7

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

1.55

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C

150

nS

т r

Время нарастания

32

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

330

nS

т f

Время спада

93

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

9.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =125 о C

161

nS

т r

Время нарастания

37

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

412

nS

т f

Время спада

165

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

20.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =150 о C

161

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

433

nS

т f

Время спада

185

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

22.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 о C

2.40

2.90

В

Я F =200A,В GE =0V,T j =1 25о C

1.95

Я F =200A,В GE =0V,T j =1 50о C

1.80

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

20.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C

38.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

201

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

14.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C

44.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

212

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

15.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.126

0.211

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.053

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g