GD200HFU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.

Особенности

Технология NPT IGBT
возможность короткого замыкания 10 мкм
Низкие потери при переключении
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Питание в режиме переключения
Индуктивное нагревание
Электрический сварщик

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Значение	Единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =65 о C	262 200	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t р =1 мс	400	A
Р Г	Максимальное рассеивание мощности @ T =150 о C	1315	В

Диод

Символ	Описание	Значение	Единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1200	В
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата	200	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t р =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т jmax	Максимальная температура стыка	150	о C
Т - Я не знаю.	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +125	о C
Т СТГ	Температура хранения Запас хода	-40 до +125	о C
В ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	2500	В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 о C		3.00	3.45	В
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, Т j =125 о C		3.80		В
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C	4.5	5.4	6.5	В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя Ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C			400	нД
R Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			1.3		ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		13.0		нФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		0.85		нФ
Q G	Сбор за вход	В GE =- 15…+15В		2.10		μC
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C		87		nS
т r	Время нарастания			40		nS
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			451		nS
т f	Время спада			63		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			6.8		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			11.9		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Т j = 125о C		88		nS
т r	Время нарастания			44		nS
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			483		nS
т f	Время спада			78		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			11.4		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			13.5		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В		1300		A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =200A,В GE =0V,T j =25 о C		1.95	2.40	В
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =200A,В GE =0V,T j =125 о C		2.00		В
Q r	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C		13.3		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			236		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			6.6		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C		23.0		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			269		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			10.5		mJ

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			30	nH
R CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		0.35		мОм
R thJC	Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.095 0.202	K/W
R thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)		0.029 0.063 0.010		K/W
М	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Вес из Модуль		300		g