Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =65 О C

262

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =150 О C

1315

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C

3.00

3.45

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C

3.80

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

4.5

5.4

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.3

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

13.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.85

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.10

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

87

NS

т р

Время нарастания

40

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

451

NS

т F

Время спада

63

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

6.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j = 125О C

88

NS

т р

Время нарастания

44

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

483

NS

т F

Время спада

78

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

11.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

13.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

2.40

в

Я F =200A,В GE =0V,T j =125 О C

2.00

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

13.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

236

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.6

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

23.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

269

A

е rec

Обратное восстановление энергия

10.5

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.095

0.202

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029

0.063

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g