GD200HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

324

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

1181

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т vj =25 О C

1.85

2.30

В

Я C =200A,В GE =15В, т vj =125 О C

2.25

Я C =200A,В GE =15В, т vj =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.00 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

21.6

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.59

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

1.68

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g = 4,7Ω, Л s =45 nH , В GE =±15В,Т vj =25 О C

100

NS

т R

Время нарастания

72

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

303

NS

т F

Время спада

71

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

26.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.11

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g = 4,7Ω, Л s =45 nH , В GE =±15В,Т vj =125 О C

99

NS

т R

Время нарастания

76

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

325

NS

т F

Время спада

130

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

33.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.58

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R g = 4,7Ω, Л s =45 nH , В GE =±15В,Т vj =150 О C

98

NS

т R

Время нарастания

80

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

345

NS

т F

Время спада

121

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

36.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.05

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

750

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

В

Я F =200A,В GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Я F =200A,В GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1890А/мкс,V GE = 15 В, Л s =45 nH ,т vj =25 О C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

96

A

е rec

Обратное восстановление энергия

5.66

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1680А/мкс,V GE = 15 В, Л s =45 nH ,т vj =125 О C

29.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

106

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.56

mJ

Q R

Восстановлено заряд

В R = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1600А/мкс,V GE = 15 В, Л s =45 nH ,т vj =150 О C

32.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

107

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.24

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.036 0.046 0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g