Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 85 О C

294

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1056

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C

1.90

2.35

в

Я C =200A,В GE =15В, т j = 125О C

2.40

Я C =200A,В GE =15В, т j =150 О C

2.55

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

100

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

Ω

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =0.75Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

374

NS

т р

Время нарастания

50

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

326

NS

т F

Время спада

204

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

13.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

10.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =0.75Ω,V GE =±15В, т j = 125О C

419

NS

т р

Время нарастания

63

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

383

NS

т F

Время спада

218

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

20.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =0.75Ω,V GE =±15В, т j = 150О C

419

NS

т р

Время нарастания

65

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

388

NS

т F

Время спада

222

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

22.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C

1.90

2.35

в

Я F =200A,В GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F =200A,В GE =0V,T j = 150О C

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

10.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

90

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.40

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

26.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

132

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.75

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

30.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.3

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

26

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.62

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.142

0.202

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.157

0.223

0.046

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

200

g