все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD1600SGT120C3S

Модуль IGBT,1200A 1600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1600SGT120C3S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Конверторы высокой мощности
  • Водители
  • Ветряные турбины

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25°C если только В противном случае Замечание

 

Символ

описание

GD1600SGT120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

2600

1600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

3200

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

@ Tc=80°C

1600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

3200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

8.43

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

монтаж крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

 

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

 

 

 

 

электрические характеристики из ИГБТ tc=25°C если только В противном случае Замечание

Не характеризуется

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

 

 

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

 

 

400

- Нет

О характеристиках

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=64Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

 

vCE (США)

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 1600A,VGE=15В, tj=25°C

 

1.70

2.15

 

v

Яc= 1600A,VGE=15В, tj=125°C

 

2.00

 

Смена характеристик

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=1600A,- Что?

rГон=1.6Ω,rГофф=0.2Ω, 

vGE=±15В,Тj=25°C

 

601

 

NS

tr

Время нарастания

 

225

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

830

 

NS

tf

Время спада

 

155

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

/

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

/

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic= 1600A,- Что?

rГон=1.6Ω,RГофф=0.2Ω,vGE=±15В,Тj=125°C

 

665

 

NS

tr

Время нарастания

 

225

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

970

 

NS

tf

Время спада

 

180

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

326

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

251

 

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

115

 

НФ

c- Да.

Выходной объем

 

6.03

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

5.23

 

НФ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

6400

 

 

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.6

 

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

15

 

НН

 

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

 

 

 

0.10

 

 

электрические характеристики из Диод tc=25°C если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 1600A

tj=25°C

 

1.65

2.05

v

tj=125°C

 

1.65

 

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 1600A,

vr=600 В,

rg=0.45Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

 

160

 

μC

tj=125°C

 

300

 

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

 

1100

 

A

tj=125°C

 

1400

 

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

 

72

 

МГ

tj=125°C

 

136

 

Тепловой характеристикics

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

 

17.8

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

31.0

К/кВт

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

6

 

К/кВт

вес

вес- Что?модуль

1500

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000