1200В 150А, упаковка: C6
Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 150А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
IGBT-инвертор
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C |
292 150 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
300 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
1111 |
В |
DIODE-инвертор
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
150 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
300 |
A |
Диод-прямой ток
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1600 |
В |
Я О |
Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида |
150 |
A |
Я ФСМ |
Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T j =2 5О C @ T j =150 О C |
1600 1400 |
A |
Я 2т |
Я 2t-значение,t Р = 10 мс @ T j =25 О C @ T j =150 О C |
13000 9800 |
A 2s |
IGBT-тормоз
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C |
200 100 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
200 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
833 |
В |
Диод -Тормоз
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
50 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
100 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т jmax |
Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток) |
175 150 |
О C |
т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT -Инвертор Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =150A,V GE =15В, т j =25 О C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C =150A,V GE =15В, т j =125 О C |
|
1.95 |
|
|||
Я C =150A,V GE =15В, т j =150 О C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =6.00 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.0 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
15.5 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.44 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =-15 ...+15В |
|
1.17 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =150A, R g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =25 О C |
|
96 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
30 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
255 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
269 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
8.59 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
12.3 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =150A, R g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =125 О C |
|
117 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
37 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
307 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
371 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
13.2 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
16.8 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =150A, R g =1. 1Ω, В GE =±15В, т j =150 О C |
|
122 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
38 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
315 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
425 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
14.8 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
600 |
|
A |
Диод -Инвертор Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =150A,V GE =0V,T j =25 О C |
|
1.85 |
2.25 |
В |
Я F =150A,V GE =0V,T j =1 25О C |
|
1.90 |
|
|||
Я F =150A,V GE =0V,T j =1 50О C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =150A, -di/dt=4750A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C |
|
8.62 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
177 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
5.68 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =150A, -di/dt=3950A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C |
|
16.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
191 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
10.2 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =150A, -di/dt=3750A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C |
|
19.4 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
196 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
12.1 |
|
mJ |
Диод -выпрямитель Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я C =150A, т j =150 О C |
|
1.00 |
|
В |
Я R |
Обратный ток |
т j =150 О C,V R =1600В |
|
|
3.0 |
mA |
IGBT -Тормоз Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =100A,V GE =15В, т j =25 О C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C =100A,V GE =15В, т j =125 О C |
|
1.95 |
|
|||
Я C =100A,V GE =15В, т j =150 О C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =4.00 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
7.5 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
10.4 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.29 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =-15 ...+15В |
|
0.08 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =25 О C |
|
170 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
32 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
360 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
86 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
5.90 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
6.05 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =125 О C |
|
180 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
42 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
470 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
165 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
9.10 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
9.35 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE =±15В, т j =150 О C |
|
181 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
43 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
480 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
186 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
10.0 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
10.5 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
400 |
|
A |
Диод -Тормоз Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =50A,V GE =0V,T j =25 О C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F =50A,V GE =0V,T j =125 О C |
|
1.90 |
|
|||
Я F =50A,V GE =0V,T j =150 О C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C |
|
6.3 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
62 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
1.67 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C |
|
10.1 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
69 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
2.94 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C |
|
11.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
72 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
3.63 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
т C =100 О C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
к |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
к |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
к |
Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA + CC ’ |
Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу |
|
4.00 3.00 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Тормоз ) Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется) |
|
|
0.135 0.300 0.238 0.180 0.472 |
K/W |
R thCH |
кейс -до -Радиатор (наIGBT -Инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) кейс -до -Радиатор (наIGBT -Тормоз ) Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009 |
|
K/W |
м |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.