GD150PFX170C6SG, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 95 О C

232

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

300

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

828

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

300

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1800

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

150

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T j = 25О C @ T j =150 О C

1600

1400

A

Я 2т

Я 2t-значение,t Р = 10 мс @ T j =25 О C @ T j =150 О C

13000

9800

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =150A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =150A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =6.00 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

4.3

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.44

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.41

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46 nH ,т j =25 О C

292

NS

т R

Время нарастания

55

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

458

NS

т F

Время спада

392

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

33.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46 nH ,т j =125 О C

342

NS

т R

Время нарастания

67

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

520

NS

т F

Время спада

568

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

50.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

35.7

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46 nH ,т j =150 О C

352

NS

т R

Время нарастания

68

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

535

NS

т F

Время спада

589

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

53.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

36.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =150A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

В

Я F =150A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.90

Я F =150A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μс,V GE = 15 В Л s =46 nH ,т j =25 О C

21.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

183

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μс,V GE = 15 В Л s =46 nH ,т j =125 О C

36.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

196

A

е rec

Обратное восстановление энергия

33.9

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μс,V GE = 15 В Л s =46 nH ,т j =150 О C

41.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

199

A

е rec

Обратное восстановление энергия

36.3

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я C =150A, т j =150 О C

0.90

В

Я R

Обратный ток

т j =150 О C,V R =1800V

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT -Инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

м

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g