GD1200SGX170A3S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

2206

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

2400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

8.77

КВт

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

2400

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1200A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =1200A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =1200A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

145

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

3.51

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

11.3

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л s =65 nH ,т j =25 О C

440

NS

т R

Время нарастания

112

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1200

NS

т F

Время спада

317

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

271

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

295

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л s =65 nH ,т j =125 О C

542

NS

т R

Время нарастания

153

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1657

NS

т F

Время спада

385

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

513

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

347

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л s =65 nH ,т j =150 О C

547

NS

т R

Время нарастания

165

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1695

NS

т F

Время спада

407

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

573

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

389

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

4800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

В

Я F =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

Я F =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9В, Л s =65нГн,Т j =25℃

190

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

844

A

е rec

Обратное восстановление энергия

192

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050А/мкс,V GE =-9В, Л s =65нГн,Т j =125℃

327

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1094

A

е rec

Обратное восстановление энергия

263

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330А/мкс,V GE =-9В, Л s =65нГн,Т j =150℃

368

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1111

A

е rec

Обратное восстановление энергия

275

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.19

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

17.1 26.2

К/кВт

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.9 15.2 6.0

К/кВт

м

Терминал питания Винт:M4 Терминал питания Винт:M8 Монографный винт:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

1050

g