Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD1200SGT120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1900

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

2400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

@ T C =80 ℃

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

2400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

6.79

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 1200А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.70

2.15

в

Я C = 1200А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =1200A,

р Гон = 1,8Ω,R Гофф = 0,62Ω,

в GE =±15В,Т j =25 ℃

550

NS

т р

Время нарастания

230

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

830

NS

т F

Время спада

160

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

/

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

/

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 1200А,

р Гон = 1,8Ω,R Гофф = 0,62Ω, в GE =±15В,Т j =125 ℃

650

NS

т р

Время нарастания

240

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

970

NS

т F

Время спада

190

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

246

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

189

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

85.5

НФ

C - Да.

Выходной объем

4.48

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

3.87

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C,

в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

4800

A

р Гинт

Внутренний затвор

сопротивление

1.9

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.10

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 1200A

т j =25 ℃

1.65

2.05

в

т j =125 ℃

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

Я F = 1200А,

в р =600 В,

р Гон = 0,6Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

112

μC

т j =125 ℃

224

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

850

A

т j =125 ℃

1070

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

48.0

mJ

т j =125 ℃

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

22.1

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

36.8

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт

Вес

Вес Модуль

1500

g