1200 В

Символ

описание

GD1200SGL120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Коллекторный ток

@ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

1900

A

1200

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

2400

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

1200

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

2400

A

pd

Максимальная мощность рассеяния    @ Tj= 175°C

8823

w

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=125°C

10

μs

tj

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

ка2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

монтаж

крутящий момент

Клемма питания: M4

Свинцовый конец питания:M8

1.7 до 2.3

8,0 до 10

n.m.

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bv CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

800

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=48.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj=25°C

1.9

v

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj= 125°C

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

rГинт

Внутренний затворный резистор

tj=25°C

1.2

О

qGE

Сбор за вход

Яc= 1200А,ВCE=600 В, vGE=- 15…+15В

12.5

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE = ±15V, tj=25°C

790

NS

tr

Время нарастания

170

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1350

NS

tf

Время спада

180

NS

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE =±15 v, 

tj= 125°C

850

NS

tr

Время нарастания

170

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1500

NS

tf

Время спада

220

NS

eна

Включить Потери при переключении

155

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

190

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V, f=1MHz,

vGE=0В

92.0

НФ

c- Да.

Выходной объем

8.40

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

6.10

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°C- Да.

vСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

7000

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

15

НН

rСк.+EE ’

Противодействие свинца модуляe, Терминал на чип

tc=25°C,на переключатель

0.10

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 1200а

tj=25°C

1.9

v

tj= 125°C

2.1

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf= 1200А,

vr=600 В,

di/dt=-6800A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

110

μC

tj= 125°C

220

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

760

A

tj= 125°C

990

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

47

МГ

tj= 125°C

82

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, per Модуль)

0.017

K/W

rθД.К.

Junction-to-Case (часть диода, на модуль(с)

0.025

K/W

rθcs

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласномодуль)

0.006

K/W

вес

вес из модуль

1500

g