GD1200HFX170C3S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

1965

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

2400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

6.55

КВт

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

2400

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1200A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.85

2.30

В

Я C =1200A,V GE =15В, т vj =125 О C

2.25

Я C =1200A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48.0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.6

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

142

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

3.57

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

11.8

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л s =110нГ,T vj =25 О C

700

NS

т R

Время нарастания

420

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1620

NS

т F

Время спада

231

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

616

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

419

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л s =110нГ,T vj =125 О C

869

NS

т R

Время нарастания

495

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1976

NS

т F

Время спада

298

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

898

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

530

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R Гон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, В GE =-10/ +15В,

Л s =110нГ,T vj =150 О C

941

NS

т R

Время нарастания

508

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

2128

NS

т F

Время спада

321

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

981

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

557

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C ,В CC =1000V,

В СМК ≤1700V

4800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =25 О C

1.80

2.25

В

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Я F =1200A,V GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/мкс,В GE =-10В, Л s =110нГ,T vj =25 О C

217

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

490

A

е rec

Обратное восстановление энергия

108

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/мкс,В GE =-10В, Л s =110нГ,T vj =125 О C

359

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

е rec

Обратное восстановление энергия

165

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μс,V GE =-10В, Л s =110нГ,T vj =150 О C

423

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

570

A

е rec

Обратное восстановление энергия

200

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.37

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

22.9 44.2

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

18.2 35.2 6.0

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

1500

g