GD100PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

161

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

592

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

200

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1800

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

100

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T j = 25О C @ T j =150 О C

1600

1400

A

Я 2т

Я 2t-значение,t Р = 10 мс @ T j =25 О C @ T j =150 О C

13000

9800

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =100A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =100A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

7.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

12.0

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.29

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.94

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46 nH , т j =25 О C

257

NS

т R

Время нарастания

47

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

377

NS

т F

Время спада

382

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

24.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.7

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46нГ, T j =125 О C

284

NS

т R

Время нарастания

56

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

444

NS

т F

Время спада

555

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

34.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

23.1

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15В, Л s =46нГ, T j =150 О C

286

NS

т R

Время нарастания

60

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

465

NS

т F

Время спада

636

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

38.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =100A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

В

Я F =100A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.90

Я F =100A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =100A,

-di/dt=1590А/мкс,V GE = 15 В Л s =46 nH , т j =25 О C

13.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

107

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.79

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =100A,

-di/dt=1300А/мкс,V GE = 15 В Л s =46нГ, T j =125 О C

25.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

111

A

е rec

Обратное восстановление энергия

18.6

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μс,V GE = 15 В Л s =46нГ, T j =150 О C

28.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

112

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.4

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я C =100A, т j =150 О C

0.85

В

Я R

Обратный ток

т j =150 О C,V R =1800V

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT -Инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

м

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g