GD100HHU120C6SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =75 О C

146

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150 О C

771

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

200

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, т vj =25 О C

3.00

3.45

В

Я C =100A,V GE =15В, т vj =125 О C

3.80

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

4.5

5.5

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.50

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

1.10

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15В, лс =48 nH ,т vj =25 О C

38

NS

т R

Время нарастания

50

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

330

NS

т F

Время спада

27

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

8.92

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.06

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15В, лс =48 nH ,т vj =125 О C

37

NS

т R

Время нарастания

50

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

362

NS

т F

Время спада

43

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

10.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.69

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =125 О C ,В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

650

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =100A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

В

Я F =100A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15 В лс =48 nH ,т vj =25 О C

11.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

101

A

е rec

Обратное восстановление энергия

4.08

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15 В лс =48 nH ,т vj =125 О C

19.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

120

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.47

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т vj =100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

2.60

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.162 0.401

K/W

R thCH

кейс -до -Раковина (наIGBT )

Кассе-от-Упаковки (на диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.051 0.125 0.009

K/W

м

Крутящий момент установки, Шуруп M6

3.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g