GD1000HTA75P6HT

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =125 О C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

2000

A

Р Д

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т vj =175 О C

1282

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

750

в

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

2000

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Д Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

Д прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.10

1.35

в

Я C =450A,V GE =15В, т vj =150 О C

1.10

Я C =450A,V GE =15В, т vj =175 О C

1.10

Я C =1000A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.40

Я C =1000A,V GE =15В, т vj =175 О C

1.60

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.9 mA ,в СЕ = в GE , т vj =25 О C

5.5

6.4

7.0

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.2

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =50В, f=100kHz, в GE =0В

66.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.50

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.35

НФ

Q g

Сбор за вход

в СЕ =400В, I C =450A, в GE =-15…+15V

4.74

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C =450A,

р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V,

Л s =24нГн, T vj =25 О C

244

NS

т р

Время нарастания

61

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

557

NS

т F

Время спада

133

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

11.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.8

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C =450A,

р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V,

Л s =24нГн, T vj =150 О C

260

NS

т р

Время нарастания

68

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

636

NS

т F

Время спада

226

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

16.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =400В, I C =450A,

р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V,

Л s =24нГн, T vj =175 О C

264

NS

т р

Время нарастания

70

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

673

NS

т F

Время спада

239

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

19.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

33.6

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т vj =25 О C,V CC =400В, в СМК ≤750В

4900

A

т Р ≤3μс, в GE =15В,

т vj =175 О C,V CC =400В, в СМК ≤750В

3800

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.40

1.65

в

Я F =450A,V GE =0V,T vj =150 О C

1.35

Я F =450A,V GE =0V,T vj =175 О C

1.30

Я F =1000A,V GE =0V,T vj =25 О C

1.80

Я F =1000A,V GE =0V,T vj =175 О C

1.80

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =450A,

-di/dt=7809А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =25 О C

18.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

303

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.72

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =450A,

-di/dt=6940А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =150 О C

36.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

376

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.09

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =400В, I F =450A,

-di/dt=6748А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =175 О C

40.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

383

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.01

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

Р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

т Основание < 40 О C

т Основание > 40 О C

(относительное давление)

2.5 2.0

Штанга

р ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Вес из Модуль

750

g