Брошюра продукта:Скачать
Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ | Описание | Ценности | единица |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 750 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я CN | Использование коллектора Cu ренты | 1000 | A |
Я C | Коллекторный ток @ T F =125 О C | 450 | A |
Я CM | Импульсный ток коллектора t Р =1 мс | 2000 | A |
Р Д | Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т vj =175 О C | 1282 | В |
Диод
Символ | Описание | Ценности | единица |
в RRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст | 750 | в |
Я ФН | Использование коллектора Cu ренты | 1000 | A |
Я F | Диод Непрерывный прямой ток ренты | 450 | A |
Я ЧМ | Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс | 2000 | A |
Модуль
Символ | Описание | значение | единица |
т vjmax | Максимальная температура стыка | 175 | О C |
т vjop | Рабочая температура развязки непрерывная За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни | -40 до +150 +150 до +175 | О C |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | О C |
в ИСО | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин | 2500 | в |
Д Ползучесть | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 9.0 9.0 | мм |
Д прозрачный | Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу | 4.5 4.5 | мм |
IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица | ||||||||
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =450A,V GE =15В, т vj =25 О C |
| 1.10 | 1.35 |
в | ||||||||
Я C =450A,V GE =15В, т vj =150 О C |
| 1.10 |
| |||||||||||
Я C =450A,V GE =15В, т vj =175 О C |
| 1.10 |
| |||||||||||
Я C =1000A,V GE =15В, т vj =25 О C |
| 1.40 |
| |||||||||||
Я C =1000A,V GE =15В, т vj =175 О C |
| 1.60 |
| |||||||||||
в GE (т ) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C =12.9 mA ,в СЕ = в GE , т vj =25 О C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | в | ||||||||
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ = в CES ,в GE =0V, т vj =25 О C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т vj =25 О C |
|
| 400 | НД | ||||||||
р Гинт | Сопротивление внутреннего воротника |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =50В, f=100kHz, в GE =0В |
| 66.7 |
| НФ | ||||||||
C - Да. | Выходной объем |
| 1.50 |
| НФ | |||||||||
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 0.35 |
| НФ | |||||||||
Q g | Сбор за вход | в СЕ =400В, I C =450A, в GE =-15…+15V |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =400В, I C =450A, р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V, Л s =24нГн, T vj =25 О C |
| 244 |
| NS | ||||||||
т р | Время нарастания |
| 61 |
| NS | |||||||||
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 557 |
| NS | |||||||||
т F | Время спада |
| 133 |
| NS | |||||||||
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =400В, I C =450A, р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V, Л s =24нГн, T vj =150 О C |
| 260 |
| NS | ||||||||
т р | Время нарастания |
| 68 |
| NS | |||||||||
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 636 |
| NS | |||||||||
т F | Время спада |
| 226 |
| NS | |||||||||
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =400В, I C =450A, р Гон = 1,2Ω, р Гофф =1,0Ω, в GE =-8V/+15V, Л s =24нГн, T vj =175 О C |
| 264 |
| NS | ||||||||
т р | Время нарастания |
| 70 |
| NS | |||||||||
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 673 |
| NS | |||||||||
т F | Время спада |
| 239 |
| NS | |||||||||
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
Я SC | Данные SC | т Р ≤6μs, в GE =15В, т vj =25 О C,V CC =400В, в СМК ≤750В |
| 4900 |
| A | ||||||||
|
| т Р ≤3μс, в GE =15В, т vj =175 О C,V CC =400В, в СМК ≤750В |
|
3800 |
|
|
Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в F |
Диод вперед Напряжение | Я F =450A,V GE =0V,T vj =2 5О C |
| 1.40 | 1.65 |
в |
Я F =450A,V GE =0V,T vj =150 О C |
| 1.35 |
| |||
Я F =450A,V GE =0V,T vj =175 О C |
| 1.30 |
| |||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =25 О C |
| 1.80 |
| |||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =175 О C |
| 1.80 |
| |||
Q р | Восстановленная зарядка |
в р =400В, I F =450A, -di/dt=7809А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =25 О C |
| 18.5 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 303 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 3.72 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка |
в р =400В, I F =450A, -di/dt=6940А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =150 О C |
| 36.1 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 376 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 8.09 |
| mJ | |
Q р | Восстановленная зарядка |
в р =400В, I F =450A, -di/dt=6748А/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т vj =175 О C |
| 40.1 |
| μC |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 383 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 9.01 |
| mJ |
НТЦ Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
р 25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
∆R/R | Отклонение из р 100 | т C =100 О C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
Р 25 | Мощность рассеяние |
|
|
| 20.0 | мВт |
B 25/50 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| к |
B 25/80 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| к |
B 25/100 | B-значение | р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| к |
Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
| 8 |
| nH |
р CC+EE | Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
| 0.75 |
| мОм |
Р | Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка т Основание < 40 О C т Основание > 40 О C (относительное давление) |
|
| 2.5 2.0 |
Штанга |
р ФНП | Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | K/W |
м | Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | Н.М |
g | Вес из Модуль |
| 750 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.