Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1000V 750А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
750 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я CN |
Использование коллектора Cu ренты |
1000 |
A |
Я C |
Коллектор ток т vj =175 О C |
680 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
1360 |
A |
Р Г |
Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т vj =175 О C |
1086 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Ценности |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
750 |
В |
Я ФН |
Использование коллектора Cu ренты |
1000 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
680 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
1360 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т vjop |
Рабочая температура развязки непрерывная |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =680А,V GE =15В, т vj =25 О C |
|
1.25 |
1.50 |
В |
|
Я C =680А,V GE =15В, т vj =150 О C |
|
1.35 |
|
||||
Я C =680А,V GE =15В, т vj =175 О C |
|
1.40 |
|
||||
Я C =1000A,V GE =15В, т vj =25 О C |
|
1.45 |
|
||||
Я C =1000A,V GE =15В, т vj =175 О C |
|
1.70 |
|
||||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C |
5.5 |
6.5 |
7.0 |
В |
|
Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , т vj =175 О C |
|
3.5 |
|
||||
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
|
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C |
|
|
400 |
НД |
|
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.0 |
|
Ω |
|
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В |
|
72.3 |
|
НФ |
|
C - Да. |
Выходной объем |
|
1.51 |
|
НФ |
||
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.32 |
|
НФ |
||
Q g |
Сбор за вход |
В СЕ =400В, Я C =680А, В GE =-10…+15В |
|
4.10 |
|
μC |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R g =0.22Ом, Л s =16 nH , В GE =-10В/+15В, т vj =25 О C |
|
196 |
|
NS |
|
т R |
Время нарастания |
|
50 |
|
NS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
407 |
|
NS |
||
т F |
Время спада |
|
125 |
|
NS |
||
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
11.1 |
|
mJ |
||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
29.1 |
|
mJ |
||
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R g =0.22Ом, Л s =16 nH , В GE =-10В/+15В, т vj =150 О C |
|
222 |
|
NS |
|
т R |
Время нарастания |
|
63 |
|
NS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
471 |
|
NS |
||
т F |
Время спада |
|
178 |
|
NS |
||
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
19.7 |
|
mJ |
||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
37.4 |
|
mJ |
||
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R g =0.22Ом, Л s =16 nH , В GE =-10В/+15В, т vj =175 О C |
|
224 |
|
NS |
|
т R |
Время нарастания |
|
68 |
|
NS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
490 |
|
NS |
||
т F |
Время спада |
|
194 |
|
NS |
||
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
21.7 |
|
mJ |
||
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
39.5 |
|
mJ |
||
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤6μs,V GE =15В, |
|
4000 |
|
A |
|
|
|
т vj =25 О C,V CC =450В, В СМК ≤750В |
|
|
|
|
|
т Р ≤3μс,V GE =15В, т vj =175 О C,V CC =450В, В СМК ≤750В |
|
3300 |
|
Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =680А,V GE =0V,T vj =2 5О C |
|
1.60 |
2.05 |
В |
Я F =680А,V GE =0V,T vj =150 О C |
|
1.60 |
|
|||
Я F =680А,V GE =0V,T vj =175 О C |
|
1.55 |
|
|||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =25 О C |
|
1.80 |
|
|||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =175 О C |
|
1.75 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=15030A/μс,V GE =-10В, Л s =16 nH ,т vj =25 О C |
|
19.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
458 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
6.10 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=12360A/μс,V GE =-10В, Л s =16 nH ,т vj =150 О C |
|
29.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
504 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
9.70 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=11740A/μс,V GE =- 10V, Л s =16 nH ,т vj =175 О C |
|
34.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
526 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
11.0 |
|
mJ |
PTC Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
R |
Номинальный сопротивление |
т C =0 О C т C =150 О C |
|
1000 1573 |
|
Ω Ω |
т кр |
Температурный коэффициент нт |
|
|
0.38 |
|
%/K |
т Сх |
Сам Подогрев |
т C =0 О C Я м =0.1...0.3мА |
|
0.4 |
|
К/мВт |
Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
5 |
|
nH |
Р |
Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
|
2.5 |
Штанга |
R ФНП |
Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=8.0 дм 3/мин ,т F =65 О C |
|
0.080 0.115 |
|
K/W |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5 |
5.4 5.4 |
|
6.6 6.6 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
220 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.