Все категории

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

Домашняя страница /  Продукты /  IGBT Дискретный

DG25X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

1200В, 25А

Brand:
STARPOWER
  • Введение
Введение

Доброе напоминание. :F или больше IGBT Дискретный , пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Опоры IGBT Технология
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • VCE(sat) С положительный Температура коэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 110О C

50

25

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р ограниченный T jmax

100

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

573

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C = 110О C

25

A

Я ЧМ

Диод Максимальное Прямой ток т Р ограниченный От т jmax

100

A

Дискретно

Символ

Описание

Ценности

единица

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-55 до +150

О C

т s

Температура сварки: 1,6 мм от m случай для 10с

260

О C

м

Крутящий момент установки, Винт M3

0.6

Н.М

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =25А, в GE =15В,

т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =25А, в GE =15В,

т j =125 О C

1.95

Я C =25А, в GE =15В,

т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 0,63 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

2.59

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.07

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

0.19

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =25А, р g =20Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

28

NS

т р

Время нарастания

17

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

196

NS

т F

Время спада

185

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

1.71

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

1.49

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =25А, р g =20Ω,V GE =±15В, т j =125 О C

28

NS

т р

Время нарастания

21

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

288

NS

т F

Время спада

216

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.57

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.21

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =25А, р g =20Ω,V GE =±15В, т j =150 О C

28

NS

т р

Время нарастания

22

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

309

NS

т F

Время спада

227

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.78

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.42

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

100

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 25A,V GE =0V,T j =25 О C

2.20

2.65

в

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 125О C

2.30

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 150О C

2.25

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

1.43

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

34

A

е rec

Обратное восстановление энергия

0.75

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В т j = 125О C

2.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

42

A

е rec

Обратное восстановление энергия

1.61

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В т j = 150О C

2.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

44

A

е rec

Обратное восстановление энергия

2.10

mJ

Дискретно Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.262

0.495

K/W

р ТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000